Samsung accelera: flash da 32 GB a 133 Mb/s

Roma – Non appena se ne farà uso, la differenza salterà all’occhio: le nuove memorie flash di Samsung offrono 32 GB di spazio e hanno raggiunto la ragguardevole velocità di ben 133 Megabit/secondo.

Le nuove NAND MLC (acronimo di Multi Level Cell), in tecnologia 30 nm,  supportano l’interfaccia DDR asincrona e sono già state distribuite a diversi OEM.

Il campo applicativo è alquanto vasto e situato in mercati promettenti e consolidati: ad esempio, cita UberGizmo, troveranno facilmente spazio in dischi SSD, in SD card e in riproduttori musicali portatili, solo per dirne alcuni.

In precedenza questi tipi di memoria erano in grado di raggiungere “solo” 40 Mb/s: ora, con il supporto della nuova velocità, Samsung colleziona un incremento del 300 per cento e oltre.

“Con le nuove NAND DDR MLC, il doppio data rate può essere raggiunto senza incrementare l’assorbimento di corrente, offrendo ai progettisti molte più possibilità di introdurle in diversi apparecchi”, ha detto Soo-In Cho, executive VP e general manager della divisione memorie di Samsung. “Con la forte spinta di Samsung verso la fornitura di soluzioni di memorie a velocità molto maggiori si accelererà l’introduzione di apparati mobili ad alte prestazioni che offrono ai consumatori maggiore convenienza e maggior valore”.

Secondo la società di ricerche di mercato Gartner Dataquest – si legge sul comunicato stampa – il mercato globale delle memorie flash NAND è stimato valere circa 13,8 miliardi di dollari nell’anno corrente e le proiezioni lo vedono raggiungere 23,6 miliardi di dollari entro il 2012.