Nato il transistor 3D più piccolo: 10 nm, con i “nanofili”

The New Blog Times
Marco Valerio Principato
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Pubblicato il: 12/12/2011
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Dai laboratori delle Università di Purdue e Harvard nasce l’idea di impiegare nanofili per costruire nuovi transistor. Che saranno molto piccoli: permetteranno l’impiego di tecnologia di appena 10 nanometri

Roma – Parlare di transistor 3D ormai non è più un fraseggio che stupisce troppo. Intel lavora su questo concetto già da tempo e ha battezzato questa tecnologia “Tri-gate”. Il suo vantaggio è di permettere il raggiungimento di 22 nm e anche qualcosa meno, una miniaturizzazione già notevole che però adesso rischia di perdere il suo primato: dalle Università di Harvard e Purdue giunge notizia che tale limite possa essere superato con l’ausilio dei c.d. nanofili, producendo transistor in tecnologia a 10 nanometri.

In un normale transistor FinFET 3D i componenti sono pressoché identici a quelli di un normale transistor FET “piatto”. Anziché sovrapporre i livelli, il gate viene creato a mo’ di collare intorno a una “fettina” verticale. Questo procedimento richiede l’impiego di una tecnica chiamata Atomic Layer Deposition (ALD). Essa consiste in pratica nel depositare ogni singola parte del transistor da zero in su, atomo su atomo. Ebbene, nel processo individuato negli atenei di cui  sopra, alcuni nanofili costruiti con una lega di arseniuro di gallio e indio sono usati al posto del silicio. Si impiega poi la tecnica ALD per depositare del dielettrico dove necessario.

La lega di arseniuro di gallio e indio è un semiconduttore, parente prossimo del grafene: anch’esso è dunque candidato, forse, a sostituire un giorno il silicio. Essa, in questo caso, viene rivestita dove occorre con un dielettrico di biossido di alluminio, con cui si giunge alla creazione di un transistor. Del resto la lega, chiamata anche IGA, viene già impiegata in alcune elettroniche destinate all’uso in alta frequenza in quanto – come il grafene – la mobilità degli elettroni in essa è più elevata che nel silicio e ciò significa tensioni di alimentazione più basse e meno calore, assieme alla possibilità di lavorare a frequenze più elevate.

L’obiettivo finale è sempre lo stesso: computer, smartphone e qualunque cosa utilizzi una CPU che possa assorbire meno energia e scaldare meno, possibilmente nulla. L’idea sembra interessante anche per un’altra ragione: il processo produttivo necessario non è nulla di trascendentale, è sufficiente quello convenzionale. Vale a dire, se tutto va bene tale tipo di transistor potrebbe iniziare a circolare in poco tempo, diciamo qualche anno.

Marco Valerio Principato

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Marco Valerio Principato (2076 articoli)

Informatico sin dal 1980, esperto di Internet ed elettronica e attivo in Rete dal 1999, ha curato articoli in diverse pubblicazioni specifiche tra cui Punto Informatico (direzione P. De Andreis) e CompuServe Magazine. Laureato con lode in Scienze della Comunicazione, è responsabile di questo sito.


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