Nuovo transistor GaN HEMT da Fujitsu, risparmia con lo standby
Roma – All’insegna del risparmio energetico, Fujitsu Ltd e Fujitsu Laboratories Ltd hanno annunciato lo sviluppo di un nuovo transistor per uso in altissima frequenza, in grado di abbattere i consumi nei momenti di standby.
Il progetto è nato in risposta ad una crescente esigenza del mercato di coprire bisogni nel campo delle microonde e delle onde millimetriche con potenze elevate, intorno ai 100 Watt. Si tratta di una struttura basata sul nitruro di gallio (GaN) di tipo high electron mobility transistor (HEMT), cioè transistor ad alta mobilità di elettroni.
(a) Struttura convenzionale - (b) Nuovo sistema GaN HEMT / Credit: Fujitsu
Sino ad oggi, è stato necessario applicare una tensione negativa anche durante la modalità standby, con conseguente dispendio di energia. La particolare struttura progettata da Fujitsu, con ulteriore addizione di strati appositamente concepiti, risolve questo problema (vedi figura).
I risultati ottentuti offrono, oltre alla riduzione dei consumi, anche una resa decisamente più elevata con un 60 per cento di incremento sul volume di elettroni in movimento e consente, con un’unica struttura, la gestione di stadi ad alta potenza.
I dettagli di questa nuova tecnologia sono stati presentati all’International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS), tenutosi il mese scorso a Rust (Germania). Alcuni aspetti sono parte di un programma di ricerca e sviluppo per l’espansione delle risorse negli spettri radio sponsorizzato dal Ministero giapponese dell’Interno e delle Comunicazioni.
La novità va a collocarsi in un segmento che, per i prossimi due anni, prevede un sostanzioso incremento di progetti industriali e commerciali che vedono l’arco di frequenze compreso nelle millimetriche e nelle microonde sempre più di interesse, specie in quelle installazioni destinate a coprire distanze notevoli mantenendo grandi capacità di trasporto dati.
Marco Valerio Principato
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